Référence fabricant
PMF170XP,115
P-Channel 20 V 200 mOhm 290 mW 2.6 nC TrenchMOS FET - SOT-323
Product Specification Section
Nexperia PMF170XP,115 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Nexperia PMF170XP,115 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | P-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 20V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 200mΩ |
Rated Power Dissipation: | 290mW |
Qg Gate Charge: | 2.6nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 12V |
Drain Current: | 1A |
Turn-on Delay Time: | 10ns |
Turn-off Delay Time: | 31ns |
Rise Time: | 16ns |
Fall Time: | 13ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 0.9V |
Input Capacitance: | 280pF |
Style d'emballage : | SOT-323 (SC-70) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The PMF170XP,115 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a SOT323 (SC-70) small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
Features:
- Low RDSon
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
Applications:
- Relay driver
- High-speed line driver
- High-side loadswitch
- Switching circuits
Pricing Section
Stock global :
750 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
750 000
Délai d'usine :
6 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0325
9 000
$0.0317
15 000
$0.0314
60 000
$0.0304
90 000+
$0.0298
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-323 (SC-70)
Méthode de montage :
Surface Mount