Référence fabricant
2N7002-7-F
2N7002 Series 60 V 7.5 Ohm SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23-3
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| Nom du fabricant: | Diodes Incorporated | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3000 par Reel Style d'emballage :SOT-23 (SC-59,TO-236) Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | 2425 | ||||||||||
Product Specification Section
Diodes Incorporated 2N7002-7-F - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated 2N7002-7-F - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
| Drain-Source On Resistance-Max: | 7.5Ω |
| Rated Power Dissipation: | 300|mW |
| Style d'emballage : | SOT-23 (SC-59,TO-236) |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The 2N7002-7-F is a part of 2N7002 Series 60 V 7.5 Ω N-Channel Enhancement Mode Transistor available in a SOT-23-3 package.
This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.
Product Features:
- Low On-Resistance
- Low Gate Threshold Voltage
- Low Input Capacitance
- Fast Switching Speed
- Small Surface Mount Package
- Operating and Storage Temperature Range is -55 to 150 °C
- Drain-Source Voltage is 60 V
Applications:
- Motor control
- Power Management Functions
Pricing Section
Stock global :
3 594 000
États-Unis:
3 594 000
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0127
9 000
$0.0124
30 000
$0.0121
60 000
$0.0119
120 000+
$0.0116
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-23 (SC-59,TO-236)
Méthode de montage :
Surface Mount