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Référence fabricant

STGW40H60DLFB

IGBT Transistors 600V 40A trench gate field-stop IGBT

Product Specification Section
STMicroelectronics STGW40H60DLFB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 600V
Collector Current @ 25C: 80A
Power Dissipation-Tot: 283W
Gate - Emitter Voltage: 20V
Pulsed Collector Current: 160A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 1.6V
Turn-off Delay Time: 142ns
Qg Gate Charge: 210nC
Leakage Current: 250nA
Input Capacitance: 5412pF
Thermal Resistance: 50°C/W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
No of Terminals: 3
Style d'emballage :  TO-247-3
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
600
Multiples de :
30
Total 
1 242,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$2.18
120
$2.11
300
$2.07
750
$2.03
1 200+
$1.96