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STMicroelectronics | STGP8M120DF3

Référence fabricant

STGP8M120DF3

STGP8M120DF3: 1200 V 16 A 167 W Trench Gate Field-Stop M Series IGBT - TO-220-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: STMicroelectronics
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2349
Product Specification Section
STMicroelectronics STGP8M120DF3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: 1200V
Collector Current @ 25C: 16A
Power Dissipation-Tot: 167W
Gate - Emitter Voltage: ±20V
Pulsed Collector Current: 32A
Collector - Emitter Saturation Voltage: 2.2V
Turn-on Delay Time: 20ns
Turn-off Delay Time: 126ns
Qg Gate Charge: 32nC
Reverse Recovery Time-Max: 103ns
Leakage Current: 250µA
Input Capacitance: 542pF
Thermal Resistance: 0.9°C/W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-220-3 (TO-220AB)
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
8 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
8 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Commande minimale :
50
Multiples de :
50
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
110,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
50
$2.20
150
$2.17
250
$2.16
1 000
$2.12
1 500+
$2.10
Product Variant Information section