Référence fabricant
GNP1070TC-ZE2
650V 20A 70 mOhm N-ch DFN8080K, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
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| Nom du fabricant: | ROHM | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :3500 par Méthode de montage :Surface Mount | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
ROHM GNP1070TC-ZE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
ROHM GNP1070TC-ZE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Product Status: | Active |
| Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Fet Type: | N-Ch |
| Drain Current: | 20A |
| No of Channels: | 1 |
| Qg Gate Charge: | 5.2nC |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
| Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
| Input Capacitance: | 200pF |
| Rated Power Dissipation: | 56W |
| Operating Temp Range: | 150°C |
| Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$3.49
15
$3.38
100
$3.31
400
$3.26
2 000+
$3.18
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3500 par
Méthode de montage :
Surface Mount