Référence fabricant
GNP1070TC-ZE2
650V 20A 70 mOhm N-ch DFN8080K, E-mode Gallium-Nitride(GaN) FET
Product Specification Section
ROHM GNP1070TC-ZE2 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
ROHM GNP1070TC-ZE2 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Technology: | GaNFET (Gallium Nitride) |
Fet Type: | N-Ch |
Drain Current: | 20A |
No of Channels: | 1 |
Qg Gate Charge: | 5.2nC |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 650V |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 6V |
Input Capacitance: | 200pF |
Rated Power Dissipation: | 56W |
Operating Temp Range: | 150°C |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$5.04
15
$4.75
100
$4.55
400
$4.41
2 000+
$4.20
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3500 par
Méthode de montage :
Surface Mount