BAR6302LE6327XTMA1 in Reel by Infineon | Diodes PIN | Future Electronics
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Référence fabricant

BAR6302LE6327XTMA1

PIN diode for high speed switching of RF signals, Frequencies up to 3GHz

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date:
Product Specification Section
Infineon BAR6302LE6327XTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Configuration: Single
Breakdown Voltage-Max: 50V
Forward Voltage: 1.2V
Average Forward Current-Max: 100mA
Power Dissipation: 250mW
Diode Capacitance-Nom: 0.3pF
Resistance:
Operating Temp Range: -55°C to +125°C
Storage Temperature Range: -55°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Style d'emballage :  SOD-882
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
13 Semaines
Commande minimale :
15000
Multiples de :
15000
Total 
750,00 $
USD
Quantité
Prix unitaire
15 000
$0.05
30 000
$0.0493
45 000
$0.0488
60 000
$0.0485
75 000+
$0.0475
Product Variant Information section