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Référence fabricant

BA592E6327HTSA1

35 V 100 mA 500 mΩ 1.1 pF Silicon RF Switching Diode - SOD323-2

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2331
Product Specification Section
Infineon BA592E6327HTSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Configuration: Single
Breakdown Voltage-Max: 35V
Forward Voltage: 1V
Average Forward Current-Max: 100mA
Diode Capacitance-Nom: 0.85pF
Resistance: 0.36Ω
Operating Temp Range: -55°C to +125°C
Storage Temperature Range: -55°C to +150°C
Moisture Sensitivity Level: 1
Style d'emballage :  SOD-323
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
30 000
États-Unis:
30 000
Sur commande :Order inventroy details
30 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
4 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
Total 
215,10 $
USD
Quantité
Prix unitaire
3 000
$0.0717
9 000
$0.0699
12 000
$0.0695
30 000
$0.068
45 000+
$0.0665
Product Variant Information section