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Référence fabricant

IRLML9301TRPBF

Single N-Channel 30 V 64 mOhm 4.8 nC HEXFET® Power Mosfet - MICRO-3

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Product Variant Information section
Code de date: 2310
Product Specification Section
Infineon IRLML9301TRPBF - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: N-Ch
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 30V
Drain-Source On Resistance-Max: 64mΩ
Rated Power Dissipation: 1.3|W
Qg Gate Charge: 4.8nC
Style d'emballage :  MICRO-3
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

IRLML9301TRPBF is a single P-CHANNEL MOSFET with Drain-to-Source Breakdown Voltage of -30V, Drain Current of -3.6A, Static Drain-to-Source On-Resistance of 64 mΩ.

The IRLML9301TRPBF belongs to SOT-23 MOSFET family covers the full range of voltages from -30V to 100V with different levels of RDS(on) and gate charge (Qg) to provide an improved and broader range of design options for customers looking for a compact, efficient and cost-effective solution.

Features:

  • Low RDS(on) ( ≤ 64 mΩ)
  • Industry-standard pinout
  • Compatible with existing Surface Mount Techniques 
  • RoHS compliant containing no lead, no bromide and no halogen
  • MSL1, Consumer qualification

Benefits:

  • Lower switching losses
  • Multi-vendor compatibility
  • Easier manufacturing
  • Environmentally friendly
  • Increased reliability

Application:

  • System/Load Switch

To learn more about IRLML product family, Click Here

Pricing Section
Stock global :
78 000
États-Unis:
42 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
36 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
270,90 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.0903
9 000
$0.0869
15 000
$0.0854
45 000
$0.0822
75 000+
$0.0795
Product Variant Information section