Référence fabricant
CHT-PLA8543E-TO257-T
CHT-NEPTUNE 20 V 10 A High Temperature Silicon Carbide Mosfet - TO-257-3
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| Nom du fabricant: | CISSOID | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-257 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
CISSOID CHT-PLA8543E-TO257-T - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
3A001.h
Cet article peut être assujetti à des contrôles de licence d’exportation.
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Obsolète
Obsolète
CISSOID CHT-PLA8543E-TO257-T - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 12A |
| Input Capacitance: | 1337pF |
| Power Dissipation: | 30W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +225°C |
| Style d'emballage : | TO-257 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
16 Semaines
Quantité
Prix unitaire
1
$458.83
2
$452.14
3
$448.27
4
$445.54
5+
$436.98
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-257
Méthode de montage :
Through Hole