Référence fabricant
MR256A08BYS35
MR256A08B Series 32 K x 8 Bit 3.3 V 35 ns Asynchronous MRAM Memory - TSOP-44
Product Specification Section
Everspin Technologies MR256A08BYS35 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Everspin Technologies MR256A08BYS35 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Memory Density: | 256kb |
Interface Type: | Parallel |
Memory Organization: | 32 K x 8 |
Supply Voltage-Nom: | 3V to 3.6V |
Access Time-Max: | 35ns |
Temperature Range: | 0°C to 70°C |
Style d'emballage : | TSOP-44 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Fonctionnalités et applications
The MR256A08BYS35 is a magnetoresistive random access memory (MRAM) device organized as 32,768 words of 8 bits. It is available in small footprint 400-mil, 44-lead plastic small-outline TSOP type-2 package.
This device offers SRAM compatible 35 ns read/write timing with unlimited endurance. The data is always non-volatile for greater than 20-years and data is automatically protected on power loss by low-voltage inhibit circuitry to prevent writes with voltage out of specification.
Features:
- 3.3 Volt power supply
- Fast 35 ns read/write cycle
- SRAM compatible timing
- Native non-volatility
- Unlimited read & write endurance
- Data always non-volatile for >20-years at temperature
- Commercial and industrial temperatures
- RoHS-Compliant SOIC packages
Benefits:
- One memory replaces FLASH, SRAM, EEPROM and BBSRAM in system for simpler, more efficient design
- Improves reliability by replacing battery-backed SRAM
View the available MR256A08B series of MRAMs
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix unitaire
135+
$5.99
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
135 par Tray
Style d'emballage :
TSOP-44
Méthode de montage :
Surface Mount