Référence fabricant
SIHD690N60E-GE3
E Series 600 V 6.4 A 700 mOhm Single N-Channel MOSFET - TO-252-3
Product Specification Section
Vishay SIHD690N60E-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay SIHD690N60E-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 600V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 700mΩ |
Rated Power Dissipation: | 62.5W |
Qg Gate Charge: | 8nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 30V |
Drain Current: | 6.4A |
Turn-on Delay Time: | 12ns |
Turn-off Delay Time: | 19ns |
Rise Time: | 9ns |
Fall Time: | 22ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 5V |
Input Capacitance: | 347pF |
Series: | E |
Style d'emballage : | TO-252-3 (DPAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Quantité
Prix Internet
75
$0.68
300
$0.65
1 125
$0.625
2 250
$0.61
5 625+
$0.58
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
75 par Tube
Style d'emballage :
TO-252-3 (DPAK)
Méthode de montage :
Surface Mount