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Référence fabricant

DMG1026UV-7

Dual N-Channel 60 V 2.1 Ohm 0.45 pC 0.65 W Silicon SMT Mosfet - SOT-563

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Diodes Incorporated
Emballage standard:
Code de date: 2327
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG1026UV-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: Dual N-Ch
No of Channels: 2
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 60V
Drain-Source On Resistance-Max: 2.1Ω
Rated Power Dissipation: 0.65W
Qg Gate Charge: 0.45pC
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: 20V
Drain Current: 410mA
Turn-on Delay Time: 3.4ns
Turn-off Delay Time: 26.4ns
Rise Time: 3.4ns
Fall Time: 16.3ns
Operating Temp Range: -55°C to +150°C
Gate Source Threshold: 1.8V
Technology: Si
Height - Max: 0.6mm
Length: 1.7mm
Input Capacitance: 32pF
Style d'emballage :  SOT-563
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
63 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
63 000
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
837 000
Délai d'usine :
8 Semaines
Commande minimale :
3000
Multiples de :
3000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
243,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.081
9 000
$0.0779
15 000
$0.0765
30 000
$0.0747
60 000+
$0.0718