Référence fabricant
DMG1026UV-7
Dual N-Channel 60 V 2.1 Ohm 0.45 pC 0.65 W Silicon SMT Mosfet - SOT-563
Product Specification Section
Diodes Incorporated DMG1026UV-7 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Diodes Incorporated DMG1026UV-7 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | Dual N-Ch |
No of Channels: | 2 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 60V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 2.1Ω |
Rated Power Dissipation: | 0.65W |
Qg Gate Charge: | 0.45pC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 410mA |
Turn-on Delay Time: | 3.4ns |
Turn-off Delay Time: | 26.4ns |
Rise Time: | 3.4ns |
Fall Time: | 16.3ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 1.8V |
Technology: | Si |
Height - Max: | 0.6mm |
Length: | 1.7mm |
Input Capacitance: | 32pF |
Style d'emballage : | SOT-563 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
63 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
63 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
8 Semaines
Quantité
Prix Internet
3 000
$0.081
9 000
$0.0779
15 000
$0.0765
30 000
$0.0747
60 000+
$0.0718
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par Reel
Style d'emballage :
SOT-563
Méthode de montage :
Surface Mount