Référence fabricant
NVBG080N120SC1
Single N-Channel 1200 V 30 A 110 mOhm 56 nC SMT SCI Power Mosfet - D2PAK−7L
Product Specification Section
onsemi NVBG080N120SC1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi NVBG080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
Product Status: | Active |
Fet Type: | N-Ch |
No. of Channels: | 1 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
Drain Current: | 30A |
Input Capacitance: | 1154pF |
Power Dissipation: | 179W |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Style d'emballage : | D2PAK-7 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
800+
$7.67
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
800 par Reel
Style d'emballage :
D2PAK-7
Méthode de montage :
Surface Mount