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Référence fabricant

NVBG080N120SC1

Single N-Channel 1200 V 30 A 110 mOhm 56 nC SMT SCI Power Mosfet - D2PAK−7L

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
onsemi NVBG080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 30A
Input Capacitance: 1154pF
Power Dissipation: 179W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  D2PAK-7
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Commande minimale :
800
Multiples de :
800
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
6 136,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
800+
$7.67