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Référence fabricant

NTH4L080N120SC1

N-Channel 1200 V 29 A 170 W Through Hole Silicon Carbide MOSFET - TO-247-4L

Product Specification Section
onsemi NTH4L080N120SC1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 1200V
Drain Current: 29A
Input Capacitance: 1112pF
Power Dissipation: 170W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Style d'emballage :  TO-247-4L
Méthode de montage : Through Hole
Pricing Section
Stock global :
450
d’Allemagne (En ligne seulement):
450
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
17 Semaines
Commande minimale :
30
Multiples de :
30
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
166,80 $
USD
Quantité
Prix Internet
30
$5.56
90
$5.52
150
$5.50
300
$5.47
600+
$5.43