Référence fabricant
IMW120R045M1XKSA1
IMW120 Series 1200V 59mOhm 52 nC N-Channel SiC CoolSiC™ Trench MOSFET - TO-247-3
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| Nom du fabricant: | Infineon | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :1 par Bulk Style d'emballage :TO-247-3 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
Infineon IMW120R045M1XKSA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IMW120R045M1XKSA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Technology: | SiCFET (Silicon Carbide) |
| Product Status: | Active |
| Fet Type: | N-Ch |
| No. of Channels: | 1 |
| Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 1200V |
| Drain Current: | 52A |
| Input Capacitance: | 1900pF |
| Power Dissipation: | 228W |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-3 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
Infineon Technologies has announced that it has begun volume production of discrete 1,200V CoolSiC™ MOSFET devices in a TO247 package, with on-resistance ratings ranging from 30mΩ to 350mΩ.
APPLICATIONS
• Solar inverters
• Battery charging infrastructure
• Energy storage solutions
• Uninterruptible power supplies
• Motor drives
• Data center and telecoms power supplies
FEATURES
• Low device capacitance
• Temperature-independent switching losses
• Integral diode with low reverse-recovery charge
• Threshold-free on-state characteristics
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
12 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$7.61
5
$7.53
30
$7.43
100
$7.37
300+
$7.25
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1 par Bulk
Style d'emballage :
TO-247-3
Méthode de montage :
Through Hole