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Référence fabricant

IMLT65R015M2HXTMA1

CoolSiC Series 650 V 142 A 18 mOhm Single N-Channel SiC MOSFET - PG‑HDSOP‑16

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: Infineon
Emballage standard:
Code de date: 2402
Product Specification Section
Infineon IMLT65R015M2HXTMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Product Status: Active
Fet Type: N-Ch
No. of Channels: 1
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: 650V
Power Dissipation: 600W
Operating Temp Range: -55°C to +175°C
Méthode de montage : Surface Mount
Pricing Section
Stock global :
15
d’Allemagne (En ligne seulement):
15
Sur commande :
0
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
23 Semaines
Commande minimale :
1
Multiples de :
1
Total 
12,10 $
USD
Quantité
Prix Internet
1
$12.10
15
$11.89
50
$11.80
250
$11.67
1 000+
$11.52