Référence fabricant
SIZF4800LDT-T1-GE3
Dual N-Channel 80 V 36 A 56.8 W Surface Mount Power MOSFET - PowerPAIR 3 x 3FS
Product Specification Section
Vishay SIZF4800LDT-T1-GE3 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Vishay SIZF4800LDT-T1-GE3 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | Dual N-Ch |
No of Channels: | 2 |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 80V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 19mΩ |
Rated Power Dissipation: | 56.8W |
Qg Gate Charge: | 23nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 20V |
Drain Current: | 36A |
Turn-on Delay Time: | 10ns |
Turn-off Delay Time: | 17ns |
Rise Time: | 5ns |
Fall Time: | 5ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +150°C |
Gate Source Threshold: | 2V |
Technology: | Si |
Input Capacitance: | 950pF |
Style d'emballage : | POWERPAIR 3x3 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Quantité
Prix Internet
1
$0.86
15
$0.78
75
$0.735
300
$0.695
1 500+
$0.64
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
3000 par
Style d'emballage :
POWERPAIR 3x3
Méthode de montage :
Surface Mount