Référence fabricant
IAUC60N04S6N044ATMA1
N-Channel 40 V 60 A 42 W 4.52 mOhm Surface Mount Power Mosfet - PG-TDSON-8
Product Specification Section
Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
Infineon IAUC60N04S6N044ATMA1 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Fet Type: | N-Ch |
Drain-to-Source Voltage [Vdss]: | 40V |
Drain-Source On Resistance-Max: | 4.52mΩ |
Rated Power Dissipation: | 42W |
Qg Gate Charge: | 18nC |
Gate-Source Voltage-Max [Vgss]: | 10V |
Drain Current: | 60A |
Turn-on Delay Time: | 3ns |
Turn-off Delay Time: | 5ns |
Rise Time: | 1ns |
Fall Time: | 2ns |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
Gate Source Threshold: | 2.6V |
Style d'emballage : | TDSON-8 |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Sur commande :
0
Délai d'usine :
18 Semaines
Quantité
Prix Internet
5 000
$0.295
10 000
$0.285
15 000+
$0.28
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
5000 par Reel
Style d'emballage :
TDSON-8
Méthode de montage :
Surface Mount