Référence fabricant
STGB40H65FB
Power Transistors-IGBTS
Product Specification Section
STMicroelectronics STGB40H65FB - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
STMicroelectronics STGB40H65FB - Caractéristiques techniques
Attributes Table
CE Voltage-Max: | 650V |
Collector Current @ 25C: | 80A |
Power Dissipation-Tot: | 283W |
Gate - Emitter Voltage: | ±20V |
Pulsed Collector Current: | 160A |
Collector - Emitter Saturation Voltage: | 1.6V |
Turn-on Delay Time: | 40ns |
Turn-off Delay Time: | 142ns |
Qg Gate Charge: | 210nC |
Input Capacitance: | 5412F |
Thermal Resistance: | 62.5°C/W |
Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
No of Terminals: | 3 |
Style d'emballage : | TO-263-3 (D2PAK) |
Méthode de montage : | Surface Mount |
Pricing Section
Stock global :
10 000
d’Allemagne (En ligne seulement):
10 000
Sur commande :
0
Délai d'usine :
15 Semaines
Quantité
Prix Internet
1 000
$1.44
2 000
$1.42
3 000+
$1.40
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
1000 par Reel
Style d'emballage :
TO-263-3 (D2PAK)
Méthode de montage :
Surface Mount