Référence fabricant
FFSH1065B-F085
FFSH1065B Series 650 V 11.5 A Silicon Carbide Schottky Diode - TO-247-2
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| Nom du fabricant: | onsemi | ||||||||||
| Emballage standard: | Product Variant Information section Emballages disponiblesQté d'emballage(s) :450 par Tube Style d'emballage :TO-247-2 Méthode de montage :Through Hole | ||||||||||
| Code de date: | |||||||||||
Product Specification Section
onsemi FFSH1065B-F085 - Spécifications du produit
Informations de livraison:
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ECCN:
EAR99
Informations PCN:
N/A
Fichier
Date
Statut du produit:
Actif
Actif
onsemi FFSH1065B-F085 - Caractéristiques techniques
Attributes Table
| Type: | Silicon |
| Average Rectified Current-Max: | 11.5A |
| Reverse Voltage-Max [Vrrm]: | 650V |
| Reverse Current-Max: | 40µA |
| Diode Capacitance-Max: | 421pF |
| Operating Temp Range: | -55°C to +175°C |
| Style d'emballage : | TO-247-2 |
| Méthode de montage : | Through Hole |
Fonctionnalités et applications
ON Semiconductor’s Silicon Carbide (SiC) Schottky diodes benefit from the superior characteristics of this wide bandgap material to provide better switching performance and higher reliability than comparable silicon devices.
APPLICATIONS
• Automotive DC-DC converters
• Electric vehicle on-board chargers
• Industrial power supplies
• Power factor correction
• Solar inverters
• Uninterruptible power supplies
• Welding equipment
FEATURES
• Low forward voltage
• Positive temperature coefficient
• AEC-Q101 qualified
• PPAP support
Pricing Section
Stock global :
0
États-Unis:
0
Délai d'usine :
14 Semaines
Quantité
Prix Internet
450+
$4.66
Product Variant Information section
Emballages disponibles
Qté d'emballage(s) :
450 par Tube
Style d'emballage :
TO-247-2
Méthode de montage :
Through Hole