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Référence fabricant

QSB363ZR

QSB363 Series 30 V 940 nm Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor

Modèle ECAD:
Nom du fabricant: onsemi
Emballage standard:
Code de date:
Product Specification Section
onsemi QSB363ZR - Caractéristiques techniques
Attributes Table
Wavelength: 940nm
Angle of Half Sensitivity: ±12°
Power Dissipation: 75mW
CE Voltage-Max: 30V
Style d'emballage :  T-3/4
Méthode de montage : Surface Mount
Fonctionnalités et applications

The QSB363ZR is a Subminiature plastic silicon infrared phototransistor encapsulated in a black infrared transparent. Available in T-3/4 package.

Features:

  • NPN silicon phototransistor
  • T-3/4 (2 mm) surface mount package
  • Medium wide beam angle 24°
  • Black plastic package
  • Matched emitters: QEB363 or QEB373
  • Daylight filter
  • Tape & Reel option (See tape & Reel specifications)
  • Lead form options: Gullwing, Yoke, Z-Bend

Applications:

  • Automation
  • Broadband Access
  • Broadband Modem
  • Broadcast & Studio
  • Building & Home Control
  • Consumer Appliances

View the Available QSB Series of Photodetectors

Pricing Section
Stock global :
0
d’Allemagne (En ligne seulement):
0
Sur commande :Order inventroy details
40 000
Stock d'usine :Stock d'usine :
0
Délai d'usine :
20 Semaines
Commande minimale :
1000
Multiples de :
1000
tariff icon
Des droits de douane peuvent s’appliquer en cas d’expédition vers les États-Unis. Une estimation des droits tarifaires sera dans ce cas calculée au moment du paiement.
Total 
183,00 $
USD
Quantité
Prix Internet
1 000
$0.183
3 000
$0.178
5 000
$0.175
15 000
$0.17
25 000+
$0.165